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AF9901MSA

更新时间： 2024-11-24 19:59:43
品牌 Logo 应用领域
ICT 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 839K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.033ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

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AF9901MSA 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.033 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：4端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AF9901MSA 数据手册

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AF9901M  
2N and 2P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
„ Features  
„ General Description  
- Simple Drive Requirement  
The advanced power MOSFET provides the designer  
with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
- Low On-Resistance  
- Full Bridge Application on LCD Monitor Inverter  
- Pb Free Plating Product  
The SO-8 package is universally preferred for all  
commercial-industrial surface mount applications and  
suited for low voltage applications such as DC/DC  
converters.  
„ Product Summary  
CH  
N
BVDSS (V)  
30  
RDS(ON) (mΩ)  
ID (A)  
5.5  
-4.1  
33  
55  
P
-30  
„ Pin Descriptions  
„ Pin Assignments  
Pin Name  
N1G  
N1D/P1D  
Description  
Gate (NMOS1)  
Drain(NMOS1) / Drain(PMOS1)  
1
2
3
4
8
7
6
5
N1G  
P1G  
N1D/P1D  
N1S/N2S  
P1S/P2S  
N2D/P2D  
N1S/N2S Source(NMOS1) / Source(NMOS2)  
N2G  
P2G  
N2D/P2D  
Gate (NMOS2)  
Gate (PMOS2)  
Drain(NMOS2) / Drain(PMOS2)  
N2G  
P2G  
P1S/P2S Source(PMOS1) / Source(PMOS2)  
SO-8  
P1G  
Gate (PMOS1)  
„ Ordering information  
A X 9901M X  
X
Packing  
Package  
S: SO-8  
Feature  
PN  
F :MOSFET  
Blank : Tube or Bulk  
A : Tape & Reel  
„ Block Diagram  
P1S  
P2S  
P1G  
N1G  
P2G  
P1N1D  
P2N2D  
N2G  
N2S  
N1S  
This datasheet contains new product information. Anachip Corp. reserves the rights to modify the product specification without notice. No liability is assumed as a result of the use of  
this product. No rights under any patent accompany the sale of the product.  
Rev. 1.0 Sep 22, 2005  
1/8  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AF9902M ANACHIP

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 		2N and 2P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
AF9902MSA ANACHIP

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 		暂无描述
AF9903M ANACHIP

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 		2N and 2P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
AF9903MS ANACHIP

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AF9903MSA ANACHIP

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