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ADS6616A4A-6

更新时间: 2024-11-20 22:26:43
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威刚科技 - ADATA 动态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 559K
描述
Synchronous DRAM(1M X 16 Bit X 4 Banks)

ADS6616A4A-6 数据手册

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A-Data  
ADS6616A4A  
1M x 16 Bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
General Description  
Features  
JEDEC standard LVTTL 3.3V power supply  
MRS Cycle with address key programs  
The ADS6616A4A are four-bank Synchronous  
DRAMs organized as 1,048,576 words x 16 bits x 4  
banks,  
-CAS Latency (2 & 3)  
Synchronous design allows precise cycle control  
with the use of system clock I/O transactions are  
possible on every clock cycle.  
Range of operating frequencies, programmable  
burst length and programmable latencies allow the  
same device to be useful for a variety of high  
bandwidth high performance memory system  
applications  
-Burst Length (1,2,3,8,& full page)  
-Burst Type (sequential & Interleave)  
4 banks operation  
All inputs are sampled at the positive edge of  
the system clock  
Burst Read single write operation  
Auto & Self refresh  
4096 refresh cycle  
DQM for masking  
Package:54-pins 400 mil TSOP-Type II  
Ordering Information.  
Part No.  
Frequency  
200Mhz  
166Mhz  
143Mhz  
133Mhz  
Interface  
Package  
ADS6616A4A-5  
ADS6616A4A-6  
ADS6616A4A-7  
ADS6616A4A-7.5  
LVTTL  
LVTTL  
LVTTL  
LVTTL  
400mil 54pin TSOPII  
400mil 54pin TSOPII  
400mil 54pin TSOPII  
400mil 54pin TSOPII  
Pin Assignment  
V
DD  
1
2
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
Vss  
DQ0  
DQ15  
V
DDQ  
3
VssQ  
DQ1  
DQ2  
4
DQ14  
DQ13  
5
V
SS  
6
VDDQ  
DQ3  
DQ4  
7
DQ12  
DQ11  
8
V
DDQ  
9
VSSQ  
DQ5  
DQ6  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
DQ10  
DQ9  
V
SSQ  
VDDQ  
DQ7  
DQ8  
V
DD  
VSS  
LDQM  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
NC  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
A11  
A9  
BA0  
BA1  
A10/AP  
A0  
A8  
A7  
A1  
A6  
A2  
A5  
A3  
A4  
V
DD  
VSS  
54-pin plastic TSOP II 400 mil  
Rev 1.1 April, 2001  
1

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