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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-CEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | 频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | O-CEMW-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | MICROWAVE |
| 脉冲输入最大功率： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 肖特基势垒类型： | LOW BARRIER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ADP9002-23 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 1800ohm Z(V) Max, Silicon, |
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| ADP9002-44 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
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| ADP9002-51 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
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| ADP9002-800 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
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| ADP9002-860 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
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| ADP9002-91 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
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| ADP9003 | ASI |
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Diode, |
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| ADP9003-00 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, DIE-9 |
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| ADP9003-01 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 1800ohm Z(V) Max, Silicon, |
|
| ADP9003-19 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
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