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ADP9002-19

更新时间: 2024-11-07 21:14:35
品牌 Logo 应用领域
ASI 脉冲二极管
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon,

ADP9002-19 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-CEMW-N2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.7
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE频带:X BAND
JESD-30 代码:O-CEMW-N2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:MICROWAVE
脉冲输入最大功率:0.1 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:NO LEAD端子位置:END
肖特基势垒类型:LOW BARRIERBase Number Matches:1

ADP9002-19 数据手册

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