5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | S-CDMW-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.69 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | 频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | S-CDMW-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | MICROWAVE |
| 脉冲输入最大功率： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 肖特基势垒类型： | LOW BARRIER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ADN9001-91 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
|
| ADN9002 | ASI |
获取价格 |
Diode, |
|
| ADN9002-00 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, DIE-9 |
|
| ADN9002-01 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 2000ohm Z(V) Max, Silicon, |
|
| ADN9002-19 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
|
| ADN9002-23 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 2000ohm Z(V) Max, Silicon, |
|
| ADN9002-44 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
|
| ADN9002-51 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
|
| ADN9002-800 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
|
| ADN9002-860 | ASI |
获取价格 |
Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
