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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.7 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| 频带： | S BAND | 最大阻抗： | 2000 Ω |
| 最小阻抗： | 1000 Ω | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 脉冲输入最大功率： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | NO | 最小正切信号灵敏度： | -48 dBm |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 肖特基势垒类型： | LOW BARRIER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| ADN3001-19 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, Silicon, |
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| ADN3001-23 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, 2000ohm Z(V) Max, Silicon, |
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| ADN3001-44 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, Silicon, |
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| ADN3001-51 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, Silicon, |
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| ADN3001-800 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, Silicon, |
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| ADN3001-860 | ASI | Mixer Diode, Low Barrier, S Band, Silicon, |
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