生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | HVSON, | 针数: | 10 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.6 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | ALSO OPERATES ON PLUS OR MINUS 15V AND PLUS 12V |
模拟集成电路 - 其他类型: | SPST | JESD-30 代码: | S-PDSO-N10 |
长度: | 3 mm | 负电源电压最大值(Vsup): | -5.5 V |
负电源电压最小值(Vsup): | -4.5 V | 标称负供电电压 (Vsup): | -5 V |
信道数量: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 10 | 标称断态隔离度: | 60 dB |
通态电阻匹配规范: | 0.04 Ω | 最大通态电阻 (Ron): | 7 Ω |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | HVSON |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
座面最大高度: | 0.8 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 最长断开时间: | 395 ns |
最长接通时间: | 520 ns | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 3 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
ADG1421BRMZ | ADI |
功能相似 ![]() |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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TS3A4741DGKR | TI |
功能相似 ![]() |
0.9-OHM LOW-VOLTAGE SINGLE-SUPPLY DUAL SPST ANALOG SWITCH |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ADG1421BRMZ | ADI |
获取价格 |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1421BRMZ-REEL7 | ADI |
获取价格 |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1422 | ADI |
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2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1422BCPZ-REEL7 | ADI |
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2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1422BRMZ | ADI |
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2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1422BRMZ-REEL7 | ADI |
获取价格 |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1423 | ADI |
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2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1423BCPZ-REEL7 | ADI |
获取价格 |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1423BRMZ | ADI |
获取价格 |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1423BRMZ-REEL7 | ADI |
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2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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