是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | HVSON, | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.59 |
Is Samacsys: | N | 模拟集成电路 - 其他类型: | SPDT |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 3 mm | 湿度敏感等级: | 1 |
负电源电压最大值(Vsup): | -16.5 V | 负电源电压最小值(Vsup): | -13.5 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 信道数量: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
标称断态隔离度: | 64 dB | 通态电阻匹配规范: | 0.05 Ω |
最大通态电阻 (Ron): | 3.2 Ω | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | HVSON | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
座面最大高度: | 0.8 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 16.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 13.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 15 V |
表面贴装: | YES | 最长断开时间: | 180 ns |
最长接通时间: | 140 ns | 技术: | BICMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 2 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NLAS1053USG | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
2:1 Mux/Demux Analog Switches |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ADG1419BRMZ | ADI |
获取价格 |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS S |
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ADG1419BRMZ-REEL7 | ADI |
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2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS S |
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ADG1421 | ADI |
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2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1421BCPZ-REEL7 | ADI |
获取价格 |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1421BRMZ | ADI |
获取价格 |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1421BRMZ-REEL7 | ADI |
获取价格 |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1422 | ADI |
获取价格 |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1422BCPZ-REEL7 | ADI |
获取价格 |
2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1422BRMZ | ADI |
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2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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ADG1422BRMZ-REEL7 | ADI |
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2.1 Ω On Resistance, ±15 V/+12 V/±5 V iCMOS D |
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