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AD102E3

更新时间: 2024-01-13 11:37:31
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 64K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2.512A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN

AD102E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.82
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.002 mA
JEDEC-95代码:TO-39JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL最大均方根通态电流:2.512 A
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

AD102E3 数据手册

  

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