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ACT-SF128K32N-37P1T

更新时间： 2024-11-06 22:56:27

品牌	Logo	应用领域
艾法斯 - AEROFLEX		闪存内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	171K
描述
ACT-SF128K32 High Speed 128Kx32 SRAM / 128Kx32 Flash Multichip Module

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ACT-SF128K32 High Speed

128Kx32 SRAM / 128Kx32 Flash

Multichip Module

CIRCUIT TECHNOLOGY

www.aeroflex.com

FEATURES

FLASH MEMORY FEATURES

■ 4 – 128K x 8 SRAMs & 4 – 128K x 8 Flash Die

in One MCM

■ Access Times of 25ns (SRAM) and 60ns

(Flash) or 35ns (SRAM) and 70ns or

90ns (Flash)

■ Organized as 128K x 32 of SRAM and 128K x

32 of Flash Memory with Common Data Bus

■ Low Power CMOS

■ Input and Output TTL Compatible Design

■ MIL-PRF-38534 Compliant MCMs Available

■ Sector Architecture (Each Die)

● 8 Equal Sectors of 16K bytes each

● Any combination of sectors can be erased with

one command sequence.

■ +5V Programing, +5V Supply

■ Embedded Erase and Program Algorithms

■ Hardware and Software Write Protection

■ Page Program Operation and Internal

Program Control Time.

■ 10,000 Erase/Program Cycles

■ Decoupling Capacitors and Multiple

Grounds for Low Noise

■ Commercial, Industrial and Military

Temperature Ranges

■ Industry Standard Pinouts

■ TTL Compatible Inputs and Outputs

■ Packaging – Hermetic Ceramic

ISO

900

● 66–Lead, PGA-Type, 1.385"SQ x 0.245"max,

Aeroflex code# P3,P7 without/with shoulders

Block Diagram – PGA Type Package (P3 & P7)

FWE4 SWE4

PIN DESCRIPTION

FWE1 SWE1

FWE3 SWE3

FWE2 SWE2

I/O0-31

A0–16

Data I/O

A0–A16

SCE

Address Inputs

FWE1-4 Flash Write Enables

SWE1-4 SRAM Write Enables

FCS

FCE

SCE

Flash Chip Enable

SRAM Chip Enable

Output Enable

Not Connected

Power Supply

Ground

128K X 8 FLASH

128K X 8 SRAM

VCC

GND

I/O0-7

I/O8-15

I/O16-23

I/O24-31

12 3 4 5 6 7...10

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