生命周期: | Active | 包装说明: | PGA, |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.63 |
最长访问时间: | 45 ns | 其他特性: | USER CONFIGURABLE AS 512K X 32 OR 1M X 16 |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 66 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2MX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 6.223 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ACT-S512K32V-045P1M | AEROFLEX |
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ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt 16 Megabit SRAM Multichip Module | |
ACT-S512K32V-045P1Q | AEROFLEX |
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ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt 16 Megabit SRAM Multichip Module | |
ACT-S512K32V-045P1T | AEROFLEX |
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ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt 16 Megabit SRAM Multichip Module | |
ACT-S512K32V-045P7C | AEROFLEX |
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ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt 16 Megabit SRAM Multichip Module | |
ACT-S512K32V-045P7I | AEROFLEX |
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ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt 16 Megabit SRAM Multichip Module | |
ACT-S512K32V-045P7M | AEROFLEX |
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ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt 16 Megabit SRAM Multichip Module | |
ACT-S512K32V-045P7Q | AEROFLEX |
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ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt 16 Megabit SRAM Multichip Module | |
ACT-S512K32V-045P7T | AEROFLEX |
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ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt 16 Megabit SRAM Multichip Module | |
ACTS512K8 | AEROFLEX |
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ACT-S512K8 High Speed 4 Megabit Monolithic SRAM | |
ACT-S512K8N-017F16Q | ETC |
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x8 SRAM |