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ACT-S512K32V-020P1C

更新时间： 2024-01-11 16:06:25
品牌 Logo 应用领域
艾法斯 - AEROFLEX 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 172K
描述
ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt 16 Megabit SRAM Multichip Module

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ACT-S512K32V-020P1C 技术参数

生命周期：Active包装说明：PGA,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.63
最长访问时间：20 ns其他特性：USER CONFIGURABLE AS 512K X 32 OR 1M X 16
JESD-30 代码：S-CPGA-P66内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：66
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：2MX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：PGA
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：6.223 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：PERPENDICULAR
Base Number Matches：1

ACT-S512K32V-020P1C 数据手册

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ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt  
16 Megabit SRAM Multichip Module  
Features  
■ 4 Low Power CMOS 512K x 8 SRAMs in one MCM  
■ Overall configuration as 512K x 32  
■ Input and Output TTL Compatible  
■ 17, 20, 25, 35 & 45ns Access Times, 15ns Available by  
CIRCUIT TECHNOLOGY  
www.aeroflex.com/act1.htm  
Special Order  
■ Full Military (-55°C to +125°C) Temperature Range  
■ +3.3V Power Supply  
■ Choice of Surface Mount or PGA Type Co-fired Packages:  
● 68–Lead, Dual-Cavity CQFP (F2), .88"SQ x .20"max (.18"max  
thickness available, contact factory for details) (Drops into the  
68 Lead JEDEC .99"SQ CQFJ footprint)  
General Description  
The ACT–S512K32V is a High  
Speed 4 megabit CMOS SRAM  
● 66–Pin, PGA-Type (P1), 1.38"SQ x .245"max  
● 66–Pin, PGA-Type (P7), 1.08"SQ x .185"max  
Multichip  
Module  
(MCM)  
designed for full temperature  
range, 3.3V Power Supply,  
military, space, or high reliability  
mass memory and fast cache  
applications.  
■ Internal Decoupling Capacitors  
■ DESC SMD# Pending  
The MCM can be organized  
as a 512K x 32 bits, 1M x 16  
bits or 2M x 8 bits device and is  
Block Diagram – PGA Type Package(P1,P7) & CQFP(F2)  
WE1 CE1 WE2 CE2 WE3 CE3 WE4 CE4  
input  
and  
output  
TTL  
compatible. Writing is executed  
when the write enable (WE)  
and chip enable (CE) inputs are  
low. Reading is accomplished  
when WE is high and CE and  
output enable (OE) are both  
low. Access time grades of  
17ns, 20ns, 25ns, 35ns and  
45ns maximum are standard.  
A0 – A18  
OE  
512Kx8  
512Kx8  
512Kx8  
512Kx8  
8
8
8
8
I/O0-7  
I/O8-15  
I/O16-23  
I/O24-31  
The products are designed for  
operation over the temperature  
range of -55°C to +125°C and  
screened under the full military  
environment. DESC Standard  
Military Drawing (SMD) part  
numbers are pending.  
Pin Description  
I/O0-31 Data I/O  
A0–18 Address Inputs  
WE1–4 Write Enables  
CE1–4 Chip Enables  
The  
ACT-S512K32V  
is  
OE  
Vcc  
GND  
NC  
Output Enable  
Power Supply  
Ground  
manufactured in Aeroflex’s  
2
80,000ft  
certified facility in Plainview,  
N.Y.  
MIL-PRF-38534  
Not Connected  
eroflex Circuit Technology - Advanced Multichip Modules © SCD3360 REV B 12/17/98  
12345678

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