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ACT-F512K32N-060F5Q

更新时间： 2024-02-09 20:13:31
品牌 Logo 应用领域
艾法斯 - AEROFLEX 闪存
页数 文件大小 规格书
20页 239K
描述
ACT-F512K32 High Speed 16 Megabit FLASH Multichip Module

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ACT-F512K32N-060F5Q 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：QFP, QFP68,.99SQ,50
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最长访问时间：60 ns数据轮询：YES
JESD-30 代码：S-XQFP-G68内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH MODULE内存宽度：32
部门数/规模：32端子数量：68
字数：524288 words字数代码：512000
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：512KX32封装主体材料：CERAMIC
封装代码：QFP封装等效代码：QFP68,.99SQ,50
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified部门规模：16K
最大待机电流：0.0065 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.24 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：HYBRID
温度等级：MILITARY端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
切换位：YES类型：NOR TYPE

ACT-F512K32N-060F5Q 数据手册

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ACT–F512K32 High Speed  
16 Megabit FLASH Multichip Module  
CIRCUIT TECHNOLOGY  
www.aeroflex.com  
Features  
■ 4 Low Power 512K x 8 FLASH Die in One MCM  
Package  
■ Industry Standard Pinouts  
■ Packaging – Hermetic Ceramic  
■ TTL Compatible Inputs and CMOS Outputs  
■ Access Times of 60, 70, 90, 120 and 150ns  
■ +5V Programing, 5V 10ꢀ Supply  
■ 100,000 Erase/Program Cycles  
■ Low Standby Current  
■ Page Program Operation and Internal Program  
Control Time  
■ Sector Architecture (Each Die)  
● 68 Lead, .88" x .88" x .160" Single-Cavity Small  
Outline gull wing, Aeroflex code# "F5" (Drops into  
the 68 Lead JEDEC .99"SQ CQFJ footprint)  
● 66 Pin, 1.08" x 1.08" x .160" PGA Type, No  
Shoulder, Aeroflex code# "P3"  
● 66 Pin, 1.08" x 1.08" x .185" PGA Type, With  
Shoulder, Aeroflex code# "P7"  
■ Internal Decoupling Capacitors for Low Noise  
Operation  
● 8 Equal size sectors of 64K bytes each  
● Any Combination of Sectors can be erased with  
one command sequence  
■ Commercial, Industrial and Military Temperature  
Ranges  
■ DESC SMD# 5962–94612  
Released (P3,P7,F5)  
● Supports full chip erase  
■ Embedded Erase and Program Algorithms  
■ MIL-PRF-38534 Compliant MCMs Available  
Block Diagram – PGA Type Package(P3,P7) & CQFP(F5)  
General Description  
The ACT–F512K32 is a high  
speed, 16 megabit CMOS flash  
WE1 CE1 WE2 CE2 WE3 CE3 WE4 CE4  
multichip  
module  
(MCM)  
designed for full temperature  
range military, space, or high  
reliability applications.  
OE  
A0 – A18  
512Kx8  
512Kx8  
512Kx8  
512Kx8  
The MCM can be organized  
as a 512K x 32bits, 1M x 16bits  
or 2M x 8bits device and is input  
8
8
8
8
TTL  
and  
output  
The  
CMOS  
compatible.  
command  
I/O0-7  
I/O8-15  
I/O16-23  
I/O24-31  
register is written by bringing  
WE to a logic low level (VIL),  
while CE is low and OE is at  
logic high level (VIH). Reading is  
accomplished by chip Enable  
(CE) and Output Enable (OE)  
being logically active, see  
Figure 9. Access time grades of  
60ns, 70ns, 90ns, 120ns and  
150ns maximum are standard.  
Pin Description  
I/O0-31 Data I/O  
A0–18 Address Inputs  
WE1-4 Write Enables  
CE1-4 Chip Enables  
OE  
VCC  
GND  
Output Enable  
Power Supply  
Ground  
The  
ACT–F512K32  
is  
packaged in a hermetically  
NC Not Connected  
eroflex Circuit Technology - Advanced Multichip Modules © SCD1665 REV B 6/29/01  
1234567...20

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ACT-F512K32N-060F5T AEROFLEX

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 		ACT-F512K32 High Speed 16 Megabit FLASH Multichip Module
ACT-F512K32N-060P3C AEROFLEX

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