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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> ABR5006W
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ABR5006W

更新时间： 2024-09-15 03:17:27
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页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
AVALANCHE BRIDGE RECTIFIERS

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ABR5006W 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.78Is Samacsys：N
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 V最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：4最大输出电流：50 A
最大重复峰值反向电压：600 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NOBase Number Matches：1

ABR5006W 数据手册

 浏览型号ABR5006W的Datasheet PDF文件第2页 
AVALANCHE BRIDGE  
RECTIFIERS  
ABR5000W - ABR5010W  
PRV : 50 - 1000 Volts  
Io : 50 Amperes  
BR50W  
0.732 (18.6)  
0.692 (17.5)  
FEATURES :  
* High case dielectric strength  
* High surge current capability  
* High reliability  
1.130 (28.7)  
0.470 (11.9)  
1.120 (28.4)  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* ldeal for printed circuit board  
* Pb / RoHS Free  
0.430 (10.9)  
0.21 (5.3)  
0.20 (5.1)  
MECHANICAL DATA :  
* Case : Molded plastic with heatsink integrally  
mounted in the bridge encapsulation  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Terminals : Plated lead solderable per  
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
* Polarity : Polarity symbols marked on case  
* Mounting position : Bolt down on heat-sink  
with silicone thermal compound between  
bridge and mounting surface for maximum  
heat transfer efficiency  
0.042 (1.06)  
0.038 (0.96)  
1.2 (30.5)  
MIN.  
0.310 (7.87)  
0.280(7.11)  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Weight : 15.95 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
ABR  
ABR  
ABR  
ABR  
ABR  
ABR  
ABR  
SYMBOL  
UNIT  
RATING  
5000W 5001W 5002W 5004W 5006W 5008W 5010W  
VRRM  
VRMS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
200  
250  
700  
400  
280  
400  
450  
900  
50  
600  
420  
600  
700  
1150  
800  
560  
800  
900  
1350  
1000  
700  
V
V
V
V
V
A
VDC  
Maximum DC Blocking Voltage  
50  
100  
150  
600  
1000  
1100  
1550  
VBO(min.)  
VBO(max.)  
IF(AV)  
100  
550  
Minimum Avalanche Breakdown Voltage at 100 mA  
Maximum Avalanche Breakdown Voltage at 100 mA  
Maximum Average Forward Current Tc = 50°C  
Peak Forward Surge Current Single half sine wave  
Superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Rating for fusing at ( t < 8.3 ms. )  
IFSM  
400  
A
I2t  
A2S  
V
660  
Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 25 A  
VF  
1.1  
IR  
10  
200  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Ta = 25 °C  
mA  
IR(H)  
Ta = 100 °C  
mA  
1
°C/W  
°C  
RqJC  
TJ  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
- 50 to + 150  
- 50 to + 150  
TSTG  
°C  
Note :  
1 ) Thermal resistance from junction to case with units mounted on heatsink.  
Page 1 of 2  
Rev. 02 : March 24, 2005  
12

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