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ABA-32563-TR1G

更新时间： 2024-11-18 03:17:23

品牌	Logo	应用领域
安捷伦 - AGILENT		射频和微波射频放大器微波放大器
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8页	105K
描述
2.5 GHz Broadband Silicon RFIC Amplifier

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ABA-32563-TR1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSSOP6,.08	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	17.5 dB
最大输入功率 (CW)：	15 dBm	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	6
最大工作频率：	2500 MHz	最小工作频率：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TSSOP6,.08
电源：	3 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	42.5 mA
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
最大电压驻波比：	1.5	Base Number Matches：	1

ABA-32563-TR1G 数据手册

Agilent ABA-32563

2.5 GHz Broadband Silicon

RFIC Amplifier

Data Sheet

Features

• Operating Frequency DC ~ 2.5 GHz

• 19 dB Gain

• VSWR < 2.0 throughout operating

frequency

• 8.4 dBm Output P1dB

• 19.5 dBm Output IP3

• 3.5 dB Noise Figure

• Unconditionally Stable

• Single 3V Supply (Id = 37 mA)

• Lead-free

Description

Surface Mount Package

SOT-363/SC70

Agilent’s ABA-32563 is an

economical, easy-to-use, inter-

nally 50Ω matched, silicon

monolithic broadband amplifier

that offers excellent gain and

broadband response from DC to

2.5 GHz. Packaged in an ultra-

miniature SOT-363 package, it

requires half the board space of

a SOT-143 package.

Applications

• Amplifier for Cellular, Cordless,

Special Mobile Radio, PCS, ISM,

Wireless LAN, DBS, TVRO, and TV

Tuner Applications

Pin Connections and

Package Marking

At 2 GHz, the ABA-32563 offers

a small-signal gain of 19 dB,

output P1dB of 8.4 dBm and

19.5 dBm output third order

intercept point. It is suitable for

use as wideband applications.

They are designed for low cost

gain blocks in cellular applica-

tions, DBS tuners, LNB and other

wireless communication systems.

Output

& Vcc

GND 1

GND 2

Input

GND 3

Vcc

Attention:

Observe precautions for

handling electrostatic

sensitive devices.

ESD Machine Model (Class A)

Note:

Top View. Package marking provides orientation

and identification. “x” is the date code.

ESD Human Body Model (Class 1B)

ABA-32563 is fabricated using

Agilent’s HP25 silicon bipolar

process, which employs a double-

diffused single polysilicon

process with self-aligned submi-

cron emitter geometry. The

process is capable of simulta-

neous high f_Tand high NPN

breakdown (25 GHz f_Tat 6V

BVCEO). The process utilizes

industry standard device oxide

isolation technologies and

Refer to Agilent Application Note A004R:

Electrostatic Discharge Damage and Control.

Simplified Schematic

Output

& Vcc

Vcc

Input

Ground 2

Ground 3

submicron aluminum multilayer

interconnect to achieve superior

performance, high uniformity,

and proven reliability.

Ground 1

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ABA-32563-TR2G	AGILENT	获取价格	2.5 GHz Broadband Silicon RFIC Amplifier
ABA-32563-TR2G	AVAGO	获取价格	0MHz - 2500MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, LEAD FREE, ULTRA MINI, SC-70, S
AB-A36DH99-FREQ	NEL	获取价格	PECL/LVPECL UHF VCXO
AB-A36DH9E-FREQ	NEL	获取价格	PECL/LVPECL UHF VCXO
AB-A36DH9F-FREQ	NEL	获取价格	PECL/LVPECL UHF VCXO
AB-A36DH9G-FREQ	NEL	获取价格	PECL/LVPECL UHF VCXO
AB-A36DH9H-FREQ	NEL	获取价格	PECL/LVPECL UHF VCXO
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