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A92-TO-92

更新时间： 2024-09-20 08:43:19

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	274K
描述
TRANSISTOR（ PNP ）

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A92-TO-92 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

A92 TRANSISTOR（ PNP

）

TO— 92

FEATURES

Power dissipation

1.EMITTER

2.BASE

P_CM: 0.625W（Tamb=25℃）

Collector current

I_CM:-0.5 A

3.COLLECTOR

Collector-base voltage

1 2 3

V_(BR)CBO: -300V

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

-300

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= -100μA，I_E=0

Ic= -1 mA， I_B=0

I_E= -100μA， I_C=0

V_CB= -200 V I =0

-0.25

-0.1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -5 V， I_C=0

h_FE（1）

V_CE= -10 V, IC=- 1 mA

V_CE= -10V, I_C= -10 mA

V_CE= -10 V, I_C= -80 mA

I_C= -20 mA, IB= -2 mA

DC current gain

h_FE（2）

250

h_FE（3）

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.2

-0.9

V_CE= -20 V, IC= -10 mA

f = 30MHz

Transition frequency

MHz

f_T

CLASSIFICATION OF h_FE(2)

Rank

B₁

B₂

Range

80-100

100-150

150-200

200-250

12 3

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