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A67L06181E-7.5IF

更新时间: 2024-11-06 13:05:19
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联笙电子 - AMICC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 244K
描述
ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, LQFP-100

A67L06181E-7.5IF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:7.5 ns
最大时钟频率 (fCLK):117 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100长度:20 mm
内存密度:18874368 bit内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:100字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:1MX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大待机电流:0.07 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.44 mA最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
宽度:14 mmBase Number Matches:1

A67L06181E-7.5IF 数据手册

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A67L06181/A67L93361  
Preliminary  
1M X 18, 512K X 36 LVTTL, Flow-through ZeBLTM SRAM  
Document Title  
1M X 18, 512K X 36 LVTTL, Flow-through ZeBLTM SRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
0.0  
Initial issue  
August, 20, 2005  
Preliminary  
PRELIMINARY (August, 2005, Version 0.0)  
AMIC Technology, Corp.  

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