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A62S8308G-55SI

更新时间: 2022-11-25 12:28:32
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联笙电子 - AMICC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
17页 266K
描述
256K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM

A62S8308G-55SI 数据手册

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A62S8308 Series  
DC Electrical Characteristics (continued)  
A62S8308-55S/70S  
A62S8308-55SI/70SI  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Conditions  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
CE1 = VIH or  
CE2 = VIL  
ISB  
-
0.5  
-
0.5  
mA  
CE1 ³ VCC - 0.2V  
CE2 ³ VCC - 0.2V  
VIN ³ 0V  
Standby Power  
Supply Current  
ISB1  
ISB2  
-
-
10  
10  
-
-
15  
15  
mA  
mA  
CE2 £ 0.2V  
VIN ³ 0V  
VOL  
VOH  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
-
0.4  
-
-
0.4  
-
V
V
IOL = 2.1mA  
IOH = -1.0mA  
2.4  
2.4  
Truth Table  
Mode  
CE2  
X
I/O Operation  
High Z  
High Z  
High Z  
DOUT  
Supply Current  
ISB, ISB1  
CE1  
H
OE  
X
WE  
X
Standby  
X
L
X
X
ISB, ISB2  
Output Disable  
Read  
L
L
L
H
H
L
H
ICC, ICC1, ICC2  
ICC, ICC1, ICC2  
ICC, ICC1, ICC2  
H
H
Write  
H
X
L
DIN  
Note: X = H or L  
Capacitance (TA = 25°C, f = 1.0MHz)  
Symbol  
CIN*  
Parameter  
Min.  
Max.  
Unit  
pF  
Conditions  
VIN = 0V  
Input Capacitance  
6
8
CI/O*  
Input/Output Capacitance  
pF  
VI/O = 0V  
* These parameters are sampled and not 100% tested.  
PRELIMINARY  
(March, 2001, Version 0.2)  
4
AMIC Technology, Inc.  

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