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A42-TO-92

更新时间： 2024-09-30 08:42:11

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	257K
描述
TRANSISTOR（ NPN ）

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A42-TO-92 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

A42 TRANSISTOR（ NPN ）

TO— 92

FEATURES

Power dissipation

P_CM: 0.625

Collector current

I_CM: 0.5

W（Tamb=25℃）

1.EMITTER

2.BASE

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 300

3.COLLECTOR

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

300

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= 100μA， I_E=0

Ic= 1 mA， I_B=0

I_E= 100μA， I_C=0

V_CB= 200 V I_E=0

0.25

0.1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=

V， I_C=0

h_FE（1）

V_CE= 10 V, I_C= 1 mA

V_CE= 10V, IC = 10 mA

V_CE= 10 V, I_C=30 mA

I_C= 20 mA, I_B= 2 mA

I_C= 20mA, I_B= 2 mA

DC current gain

h_FE（2）

250

H_FE（3）

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

0.2

0.9

V_CE=20 V, I = 10 mA

Transition frequency

MHz

f_T

f =30MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(2)

Rank

B₁

B₂

Range

80-100

100-150

150-200

200-250

12 3

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