Datasheet > A29L160BUG-70F/Q

A29L160BUG-70F/Q

更新时间： 2024-01-03 16:05:23

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

A29L160BUG-70F/Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	TFBGA,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	最长访问时间：	70 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	8 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	3.3 V
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	类型：	NOR TYPE
宽度：	6 mm

A29L160B Series

2M X 8 Bit / 1M X 16 Bit CMOS 3.3 Volt-only,

Boot Sector Flash Memory

Document Title

2M X 8 Bit / 1M X 16 Bit CMOS 3.3 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

Revision History

Rev. No. History

Issue Date

June 5, 2013

June 10, 2014

Remark

Preliminary

Final

0.0

1.0

Initial issue

Update I^CC1~ICC5, VID, Absolute Maximum Rating, Program/Erase Time,

Data Retention, Regulated Voltage Range

1.1

Page 6 “Writing Commands/Command Sequences” section :

Change

August 5, 2014

The “Word/Byte Program Command Sequence” section has details on

programming data to the device using both standard and Unlock Bypass

command sequence.

Into

The “Word/Byte Program Command Sequence” and “Unlock Bypass

Command Sequence” has detail descriptions on programming data to the

device using both standard and Unlock Bypass command sequence.

Page 17: Delete Note 8 and adjust the Notes in Table 9

1.2

August 12, 2014

(August, 2014, Version 1.2)

AMIC Technology, Corp.

12 3 4 5 6 7...41

下载PDF