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A117AJ-00

更新时间： 2024-11-15 06:34:19

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	34K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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A117AJ-00 数据手册

PNP S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

649A 晶体管芯片说明书

█ 芯片简介

█ 管芯示意图

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：A117AJ-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：1170×1170µm ²

焊位尺寸：B 极 272×192µm ²；E 极 226×298µm ²

电极金属：铝

背面金属：金

典型封装：2SB649A，HS649A，H649A

█ 极限值（T_a=25℃）（TO-126、TO-126ML）

T_stg——贮存温度

- 55~150℃

T_j——结温

150℃

20W

P_C——集电极功率耗散（T_c=25℃）

P_C——集电极功率耗散（T_A=25℃）

_CBO——集电极—基极电压

_CEO——集电极—发射极电压

_EBO——发射极—基极电压

-180V

-160V

-5V

I_C——集电极电流

-1.5A

█ 电参数（T_a=25℃）（TO-126、TO-126ML）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

I_C=-1mA，I_E=0

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

集电极—基极击穿电压

集电极—发射极击穿电压

发射极—基极击穿电压

集电极—基极截止电流

直流电流增益

-180

-160

-5

I_C=-10mA，I_B=0

I_E=-1mA，I_C=0

-10

µA V_CB=-160V，I_E=0

V_CE=-5V，I_C=-150mA

V_CE=-5V，I_C=-500mA

h_FE

300

V_CE(sat)

V_BE

集电极—发射极饱和电压

基极—发射极电压

特征频率

-1

I_C=-500mA，I_B=-50mA

V_CE=-5V，I_C=-150mA

-1.5

f_T

140

MHz V_CE=-5V，I_C=-150mA

pF V_CB=-10V,I_E=0，f=1MHz

C_ob

共基极输出电容

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