A1015LT1

更新时间： 2024-01-05 23:57:35

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WEITRON		晶体晶体管光电二极管
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2页	128K
描述
TRANSISTOR (PNP)

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A1015LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	130	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

A1015LT1 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT— 23

1. BASE

A1015LT1

TRANSISTOR（ PNP ）

2. EMITTER

3. COLLECTOR

FEATURES

Power dissipation

P_CM

Collector current

I_CM

0.2

-0.15

W（Tamb=25℃）

2.4

1.3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -50

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150

Unit : mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

-50

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= -100μA， I_E=0

Ic= -0.1mA， I_B=0

I_E= -10μA， I_C=0

(BR)CBO

(BR)CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

I_CEO

V_CB=-50 V , I_E=0

-0.1

400

-0.3

-1.1

μA

Collector cut-off current

V_CE= -50 V , I_B=0

V_EB=- 5V , I_C=0

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

H_FE(1)

V_CE=-6V, I_C= -2mA

I_C=-100 mA, I_B= -10mA

130

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_CE=-10V, I = -1mA

Transition frequency

f_T

MHz

f=30MHz

CLASSIFICATION OF H

FE(1)

Rank

Range

130-200

200-400

MARKING

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