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A100AJ-00

更新时间： 2024-09-09 06:34:15

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	27K
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PNP SILICON TRANSISTOR

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A100AJ-00 数据手册

PNP S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

772 晶体管芯片说明书

█ 芯片简介

█ 管芯示意图

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：A100AJ-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：1000×1000µm ²

焊位尺寸：B 极 215×215µm ²；E 极 210×210µm ²

电极金属：铝

背面金属：金

典型封装：2SB772，HS772，H772

█ 极限值（T_a=25℃）（TO-126、TO-126ML）

T_stg——贮存温度

- 55~150℃

150℃

10W

T_j——结温

P_C——集电极功率耗散（T_c=25℃）

P_C——集电极功率耗散（T_A=25℃）

_CBO——集电极—基极电压

_CEO——集电极—发射极电压

_EBO——发射极—基极电压

-40V

-30V

-5V

I_C——集电极电流

I_B——基极电流

-3A

-0.6A

█ 电参数（T_a=25℃）（TO-126、TO-126ML）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

I_CBO

集电极—基极截止电流

发射极—基极截止电流

直流电流增益

-1

µA

V_CB=-30V, I_E=0

V_EB=-5V, I_C=0

V_CE=-2V, I_C=-1A

I_C=-2A, I_B=-0.2A

V_CB=-10V，I_E=0，

f=1MHz

I_EBO

-1

h_FE

400

-0.5

-2.0

V_CE(sat)

V_BE(sat)

C_ob

集电极—发射极饱和压降

基极—发射极饱和压降

共基极输出电容

-0.3

-1.0

f_T

特征频率

MHz V_CE=-5V，I_E=-0.1A

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