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A075AJ-01

更新时间： 2024-11-05 08:18:39

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	231K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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A075AJ-01 数据手册

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R

汕汕子器件有限公司

1300 晶体管芯片明

█ 芯片介

█ 管芯示意

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代：A075AJ-01

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：750×750µm ²

位尺寸：B 极165×170µm ²；E 极150×165µm ²

极金属：

背面金属：金

典型封装：2SA1300

█ 极限（T_a=25℃）（ TO-92）

T_stg— — 存温度⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -55~150℃

T_j— — 温⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 150℃

P_C— — 集极功率耗散（T_a=25℃）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 750mW

V_CBO— — 集极— 基极 ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -20V

V_CEO— — 集极— 射极 ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -10V

V_EBO— — 射极— 基极 ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -6V

I_C— — 集极流⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -2A

I_B— — 基极流⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -0.2A

█ 参数（T_a=25℃）（TO-92）

参数符号

符号

明

最小典型最大

位

条件

I_C=-1mA，I_E=0

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

集极— 基极穿

-20

-10

-6

集极— 射极穿

射极— 基极穿

I_C=-10mA，I_B=0

I_E=-1mA，I_C=0

集极— 基极截止流

射极— 基极截止流

直流流增益

-0.1

µA V_CB=-20V，I_E=0

µA V_EB=-6V，I_C=0

I_EBO

h_FE

140

600

V_CE=-1V，I_C=-500mA

V_CE=-1V，I_C=-2A

I_C=-2A，I_B=-50mA

V_CE=-1V，I_C=-2A

V_CE(sat) 集极— 射极和

V_BE(on) 基极— 射极和

-0.82

-1.5

f_T

特征率

140

MHz V_CE=-1V，I_C=-500mA

C_ob

共基极出容

pF V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

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