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A047BJ-00

更新时间： 2024-09-23 06:34:15

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	25K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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A047BJ-00 数据手册

PNP S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

9012 晶体管芯片说明书

█ 芯片简介

█ 管芯示意图

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：A047BJ-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：470×470µm ²

焊位尺寸：B 极 103×103µm²，E 极 98×98µm²

电极金属：铝

背面金属：金

典型封装：SS9012，H9012，8550S

█ 极限值（T_a=25℃）（封装形式：TO-92）

T_stg——贮存温度

T_j——结温

- 55~150℃

150℃

P_C——集电极耗散功率

625mW

-40V

_CBO——集电极—基极电压

_CEO——集电极—发射极电压

_EBO——发射极—基极电压

-20V

-5V

I_C——集电极电流

-700mA

█ 电参数（T_a=25℃）（封装形式：TO-92）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

I_CBO

I_EBO

h_FE

集电极—基极截止电流

发射极—基极截止电流

直流电流增益

-0.1

390

µA V_CB=-25V，I_E=0

µA V_EB=-3V，I_C=0

V_CE=-1V，I_C=-50mA

V_CE=-1V，I_C=-500mA

V_CE(sat）集电极—发射极饱和电压

-0.6

-1.2

I_C=-500mA，I_B=-50mA

V_CE=-1V，I_C=-10mA

I_C=-100µA，I_E=0

V_BE(sat)

V_BE(on)

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

基极—发射极饱和电压

基极—发射极导通电压

集电极—基极击穿电压

集电极—发射极击穿电压

发射极—基极击穿电压

-0.6

-40

-20

-5

-0.73

I_C=-1mA，I_B=0

I_E=-100µA，I_C=0

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