Datasheet > A035BJ-01

A035BJ-01

更新时间： 2024-09-17 06:34:15

品牌	Logo	应用领域
华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	27K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

A035BJ-01 数据手册

PNP S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

1015 晶体管芯片说明书

█ 芯片简介

█ 管芯示意图

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：A035BJ-01

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：350×350µm ²

焊位尺寸：B 极 12150µm ²，E 极 16180µm ²

电极金属：铝

背面金属：金

典型封装：2SA1015，H1015

█ 极限值（T_a=25℃）（封装形式：TO-92）

T_stg——贮存温度

T_j——结温

-55~150℃

150℃

400mW

-50V

P_C——集电极耗散功率

_CBO——集电极—基极电压

_CEO——集电极—发射极电压

_EBO——发射极—基极电压

-50V

-5V

I_C——集电极电流

-150mA

█ 电参数（T_a=25℃）（封装形式：TO-92）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

I_CBO

I_EBO

h_FE

集电极—基极截止电流

发射极—基极截止电流

直流电流增益

-0.1

700

µA

V_CB=-50V，I_E=0

V_EB=-5V，I_C=0

V_CE=-6V，I_C=-2mA

V_CE=-6V，I_C=-150mA

I_C=-100mA，I_B=-10mA

I_C=-100µA，I_E=0

I_C=-1mA，I_B=0

V_CE(sat)

V_BE(sat)

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

f_T

集电极—发射极饱和电压

基极—发射极饱和电压

集电极—基极击穿电压

集电极—发射极击穿电压

发射极—基极击穿电压

特征频率

-0.3

-1.1

-50

-5

I_E=-10µA，I_C=0

MHz V_CE=-10V，I_C=-1mA

中文翻译

下载PDF

与A035BJ-01相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
A03-5NS-B	RCD	获取价格	Delay Line
A03-5NS-BQ	RCD	获取价格	Active Delay Line, 3-Func, True Output, PDIP14, DIP-14
A03-5NS-BW	RCD	获取价格	Active Delay Line, 3-Func, True Output, PDIP14, ROHS COMPLIANT, DIP-14
A0360644	AMPHENOL	获取价格	Board Connector, 60 Contact(s), 4 Row(s), Female, Right Angle, Solder Terminal, Receptacle
A0360644LF	AMPHENOL	获取价格	Board Connector, 60 Contact(s), 4 Row(s), Female, Right Angle, Solder Terminal, Receptacle
A0360650	AMPHENOL	获取价格	Board Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Receptacle
A0360NS	RCD	获取价格	Active Delay Line, 3-Func, 1-Tap, True Output, TTL, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
A03-60NS	ETC	获取价格	Logic IC
A03-60NS-B	RCD	获取价格	Active Delay Line, 3-Func, 1-Tap, PDIP8, DIP-8
A0361530	BOURNS	获取价格	Surge Protection Circuit,