FXT450

更新时间： 2024-01-29 06:16:29

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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FXT450 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.16	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

FXT450 数据手册

NPN SILICON PLANAR

FXT450

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1 SEPT 93

FEATURES

45 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

P_tot=1 Watt

E-Line

REFER TO ZTX450 FOR GRAPHS

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

V_(BR)CBO60

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

I_C=100µA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0*

I_E=100µA, I_C=0

Collector-Emitter

Sustaining Voltage

V_CEO(SUS)45

Emitter-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector Cut-Off

Current

0.1

V_CB=45V, I_E=0

µA

Emitter Cut-Off Current I_EBO

0.1

V_EB=4V, I_C=0

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.25

I_C=150mA, I_B=15mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

1.1

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

100

300

I_C=150mA, V_CE=10V*

I_C=1A, V_CE=10V*

Transition

Frequency

f_T

150

I_C=50mA, V_CE=10V

f=100MHz

Output Capacitance

C_obo

V_CB=10V, f=1MHz

3-31

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