BCX38ADWP

更新时间： 2024-02-14 15:12:06

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管达林顿晶体管局域网
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3页	64K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.031 X 0.031 INCH, G16, DIE-2

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BCX38ADWP 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	10000
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	1.25 V
Base Number Matches：	1

BCX38ADWP 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM

BCX38A/B/C

POWER DARLINGTON TRANSISTORS

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

60 Volt V_CEO

Gain of 10K at I_C=0.5 Amp

P_tot=1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

800

°C

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)CBO

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

I_C=10µA, I_E=0

Collector-Emitter

Sustaining Voltage

V_CEO(sus)60

V_(BR)EBO10

I_CBO

I_C=10mA, I_B=0

Emitter-Base

Breakdown Voltage

I_E=10µA, I_C=0

Collector Cut-Off

Current

100

V_CB=60V, I_E=0

V_EB=8V, I_C=0

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

100

1.25

1.8

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(on)

I_C=800mA, I_B=8mA*

I_C=800mA, V_CE=5V*

Base-Emitter

Turn-on Voltage

Static

BCX38A h_FE

500

1000

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=500mA, V_CE=5V*

Forward

Current

Transfer

Ratio

BCX38B

BCX38C

2000

4000

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=500mA, V_CE=5V*

5000

10000

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=500mA, V_CE=5V*

3-20

12 3

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