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BCX19TA

更新时间： 2024-01-02 10:48:20

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捷特科 - ZETEX		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	35K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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技术参数
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BCX19TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.05	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	CECC50002-236	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BCX19TA 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 4 – MARCH 2001

BCX19

PARTMARKING DETAILS –

BCX19 -

BCX19R -

COMPLEMENTARY TYPES - BCX17

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

1000

500

°C

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

100

Peak Base Current

I_BM

200

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_TOT

T_j:T_stg

330

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Cut-Off

Current

I_CBO

100

200

µA

V_CB=20V

_CB=20V, T_j=150°C

Emitter-Base Cut-Off

Current

I_EBO

µA

V_EB=5V

Base-Emitter Voltage

V_BE

1.2

I_C=500mA, V_CE=1V*

I_C=500mA, I_B=50mA*

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

620

Static Forward Current

Transfer Ratio

h_FE

100

600

I_C=100mA, V_CE=1V

_C=300mA, V_CE=1V*

I_C=500mA, V_CE=1V*

Transition Frequency

Output Capacitance

f_T

200

5.0

MHz I_C=10mA, V_CE=5V

f =35MHz

C_obo

V_CB=10V, f =1MHz

*Measured under pulsed conditions.

TBA

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