BCX17R

更新时间： 2024-02-05 11:55:18

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描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BCX17R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.05	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	8 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.62 V	Base Number Matches：	1

BCX17R 数据手册

SOT23 PNP SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 4 – MARCH 2001

BCX17

PARTMARKING DETAILS –

BCX17

BCX17R

– T1

– T4

COMPLIMENTARY TYPES - BCX19

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Collector-Emitter Voltage (I_C=-10mA)

Emitter-Base Voltage

-50

-45

-5

Collector Current

-500

°C

Peak Collector Current

I_CM

-1000

-100

Peak Emitter Current

I_EM

Base Current

I_B

Peak Base Current

I_BM

-200

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Cut-Off

Current

I_CBO-100 nA _E=0, V_CB=-20V

-200

-10

I_E=0, V_CB=-20V, T_j=150°C

µA

Emitter-Base Cut-Off

Current

I_EBO

I_C=0, V_EB=-1V

Base-Emitter Voltage

V_BE

-1.2

I_C=-500mA, V_CE=-1V*

I_C=-500mA, I_B=-50mA*

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-620 mV

Static Forward Current

Transfer Ratio

h_FE

100

600

I_C=-100mA, V_CE=-1V

_C=-300mA, V_CE=-1V*

_C=-500mA, V_CE=-1V*

Transition Frequency

Output Capacitance

f_T

100

8.0

MHz I_C=-10mA, V_CE=-5V

f =35MHz

C_obo

V_CB=-10V, f =1MHz

*Measured under pulsed conditions.

Spice parameter data is available upon request for this device

TBA

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