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BCW68

更新时间: 2024-01-10 12:22:56
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页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

BCW68 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.09基于收集器的最大容量:6 pF
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzVCEsat-Max:0.7 V
Base Number Matches:1

BCW68 数据手册

 浏览型号BCW68的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
BCW68  
ISSUE 5 - MARCH 2001  
PARTMARKING DETAILS –  
BCW68F –  
BCW68G –  
BCW68H –  
DF  
DG  
DH  
BCW68FR – 7T  
BCW68GR – 5T  
BCW68HR – 7N  
E
C
B
COMPLEMENTARY TYPES – BCW66  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
-60  
UNIT  
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-45  
V
-5  
V
Peak Pulse Current(10ms)  
Continuous Collector Current  
Base Current  
-1000  
-800  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IC  
IB  
-100  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
TBA  

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