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BCW66H

更新时间: 2024-01-18 21:14:09
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页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

BCW66H 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.01Is Samacsys:N
基于收集器的最大容量:6 pF集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN (315)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):170 MHz
VCEsat-Max:0.7 VBase Number Matches:1

BCW66H 数据手册

 浏览型号BCW66H的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
BCW66  
ISSUE 4 - MARCH 2001  
PARTMARKING DETAILS –  
BCW66F –  
BCW66G –  
BCW66H –  
EF  
EG  
EH  
BCW66FR – 7P  
BCW66GR – 5T  
BCW66HR – 7M  
E
C
B
COMPLEMENTARY TYPE – BCW68  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
75  
45  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
5
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current(10ms)  
Base Current  
800  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
ICM  
1000  
100  
IB  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
TBA  

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