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BCW33RTA

更新时间: 2024-01-27 23:56:20
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美台 - DIODES 光电二极管晶体管
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1页 25K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BCW33RTA 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.09
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:4 pF
集电极-发射极最大电压:32 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):420JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHzVCEsat-Max:0.25 V
Base Number Matches:1

BCW33RTA 数据手册

  

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