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BCV28

更新时间： 2024-01-07 04:37:12

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管达林顿晶体管
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描述
PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

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BCV28 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.15
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	4000
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

BCV28 数据手册

SOT89 PNP SILICON

BCV28

DARLINGTON TRANSISTOR

ISSUE 3 – SEPTEMBER 1995

COMPLEMENTARY TYPE –

PARTMARKING DETAIL –

✪

BCV29

SOT89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

-40

-30

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

-10

Pe ak Pu ls e Cu rren t

-800

m A

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

I_C

-500

P_{to t}

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re

Ran g e

T_j:T_{s tg}

-65 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS .

Co lle cto r-Ba s e

Bre akd o w n Vo ltag e

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-40

-30

-10

I_C=100µA

Co lle cto r-Em itte r

Bre akd o w n Vo ltag e

I_C=10m A*

I_E=10µA

Em itte r-Ba s e

Bre akd o w n Vo ltag e

Co lle cto r Cu t-Off

Cu rre n t

-100

-10

n A

µA

V_CB=-30V

V_CB=-30V, T_{a m b}=150°C

Em itte r Cu t-Off Cu rren t I_EBO

-100

-1

n A

V_EB=-4V

Co lle cto r-Em itte r

S atu ra tio n Vo lta g e

V_{CE(s a t)}

I_C=-100m A, I_B=-0.1m A*

Bas e -Em itte r

V_{BE(s a t)}

-1.5

I_C=-100m A, I_B=-0.1m A*

S atu ra tio n Vo lta g e

S ta tic Fo rw a rd Cu rren t h_FE

Tra n s fe r Ra tio

4000

I_C=-100µA, V_CE=-1V†

I_C=-10m A, V_CE=-5V*

I_C=-100m A, V_CE=-5V*

I_C=-0.5m A, V_CE=-5V*

10000

20000

4000

Tra n s itio n Fre q u e n cy

Ou tp u t Ca p a cita n ce

f_T

200

4.5

MHz

p F

I_C=-50m A, V_CE=-5V

f = 20MHz

C_{o b o}

V_CB=-10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

† Periodic Sam ple Test Only.

3 - 23

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