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BCV27TC

更新时间： 2024-02-05 03:52:34

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捷特科 - ZETEX		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	48K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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技术参数
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BCV27TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.28	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	4000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	170 MHz

BCV27TC 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

DARLINGTON TRANSISTORS

BCV27

BCV47

ISSUE 3 SEPTEMBER 1995

✪

FEATURES

High V_CEO

Low saturation voltage

COMPLEMENTARY TYPES BCV27 BCV28

BCV47 BCV48

PARTMARKING DETAILS

BCV27 ZFF

BCV47 ZFG

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

BCV27

BCV47

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

800

500

100

330

°C

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

BCV27

BCV47

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=10µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

100

µA

V_CB= 30V

100

V_CB= 60V

V_CB=30V,T_amb=150^oC

_CB=60V,T_amb=150^oC

Emitter Base

Cut-Off Current

I_EBO

100

1.0

1.5

100

V_EB=4V

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

1.0

1.5

I_C=100mA,I_B=0.1mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

10K

I_C=100µA, V_CE=1V

I_C=10mA, V_CE=5V*

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=500mA, V_CE=5V*

10K

20K

Transition Frequency f_T

170 Typical

MHz

I_C=50mA, V_CE=5V

f = 20MHz

Output Capacitance

C_obo

3.5 Typical

V_CB=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Periodic Sample Test Only.

For typical graphs see FMMT38A datasheet

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