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BCP56-16

更新时间： 2024-02-07 16:33:07

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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BCP56-16 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-73
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.53
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	155 MHz
Base Number Matches：	1

BCP56-16 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

BCP56

ISSUE 3 AUGUST 1995

✪

FEATURES

Suitable for AF drivers and output stages

High collector current and Low V_CE(sat)

COMPLEMENTARY TYPE BCP53

PARTMARKING DETAILS BCP56

BCP56 10

BCP56 16

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

100

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

1.5

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

V_(BR)CBO100

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

I_C=100µA

I_C= 10mA *

I_E=10µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

100

µA

V_CB=30V

V_CB=30V, T_amb=150°C

Emitter Cut-Off Current I_EBO

V_EB=5V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.5

I_C=500mA, I_B=50mA*

Base-Emitter Turn-On V_BE(on)

Voltage

1.0

I_C=500mA, V_CE=2V*

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

250

I_C=150mA, V_CE=2V*

I_C=500mA, V_CE=2V*

I_C=150mA, V_CE=2V*

BCP56-10 63

BCP56-16 100

100

160

250

Transition Frequency

f_T

125

MHz

I_C=50mA, V_CE=10V,

f=100MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

3 - 18

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