Datasheet > BCP51TA

BCP51TA

更新时间： 2024-01-31 00:07:36

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BCP51TA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.75
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	0.78
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

BCP51TA 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

BCP51

ISSUE 3 AUGUST 1995

✪

FEATURES

Suitable for AF drivers and output stages

High collector current and Low V_CE(sat)

COMPLEMENTARY TYPE BCP54

PARTMARKING DETAILS BCP51

BCP51 10

BCP51 16

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

-45

-5

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-1.5

-1

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

V_(BR)CBO-45

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

I_C=-100µA

I_C=- 10mA *

I_E=-10µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-45

-5

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

-100

-10

µA

_CB=-30V

V_CB=-30V, T_amb=150°C

Emitter Cut-Off Current I_EBO

-10

V_EB=-5V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.5

I_C=-500mA, I_B=-50mA*

Base-Emitter Turn-On V_BE(on)

Voltage

-1.0

250

I_C=-500mA, V_CE=-2V*

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

I_C=-150mA, V_CE=-2V*

I_C=-500mA, V_CE=-2V*

I_C=-150mA, V_CE=-2V*

BCP51-10 63

BCP51-16 100

100

160

250

Transition Frequency

f_T

125

MHz

I_C=-50mA, V_CE=-10V,

f=100MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

3 - 13

下载PDF

与BCP51TA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCP51-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 1 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power	获取价格
BCP51-TAPE-7	NXP	TRANSISTOR 1 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power	获取价格
BCP51TC	DIODES	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4	获取价格
BCP51TRL	YAGEO	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4	获取价格
BCP51TRL13	YAGEO	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4	获取价格
BCP52	DIOTEC	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors	获取价格