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BC869TA

更新时间： 2024-01-10 11:08:08

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捷特科 - ZETEX		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	16K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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技术参数
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BC869TA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.13
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

BC869TA 数据手册

SOT89 PNP SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

BC869

ISSUE 4 - J ANUARY 1996

✪

FEATURES

SUITABLE FOR GENERAL AF APPLICATIONS AND

CLASS B AUDIO OUTPUT STAGES UP TO 3W

HIGH h_FEAND LOW SATURATION VOLTAGE

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAILS -

BC868 (NPN)

BC869

- CEC

BC869-16 - CHC

BC869-25 - CJ C

SOT89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-25

Collector-Em itter Voltage

-20

Em itter-Base Voltage

-5

Peak Pulse Current

-2

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_{am b}=25°C

Operating and Storage Tem perature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

I_C

-1

P_tot

°C

T_j:T_stg

-65 to +150

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-25

-20

-5

I_C=-100µA

Collector-Em itter

Breakdown Voltage

I_C=-10m A*

I_E=-10µA

Em itter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

-10

-1

V_CB= -25V

µA

m A

V_CB= -25V,T_{am b}=150 C

Em itter Cut-Off Current

I_EBO

-10

V_EB=-5V

µA

Collector-Em itter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.5

I_C=-1A,I_B=-100m A*

Base-Em itter Turn-On

Voltage

V_BE(on)

h_FE

-1.0

I_C=-1A, V_CE=-1V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

I_C=-5m A, V_CE=-10V*

I_C=-500m A, V_CE=-1V*

I_C=-1A, V_CE=-1V*

375

BC869-16 100

BC869-25 160

250

375

I_C=-500m A, V_CE=-1V*

Transition Frequency

Output Capacitance

f_T

MHz

I_C=-10m A, V_CE=-5V

f = 35MHz

C_obo

V_CB=-10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

For typical characteristics graphs see FMMT549 datasheet

3 - 12

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