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BC859CTA

更新时间: 2024-01-29 06:58:03
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美台 - DIODES 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
36页 760K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

BC859CTA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.57
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):420JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
Base Number Matches:1

BC859CTA 数据手册

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