BC81740

更新时间： 2024-01-21 15:06:12

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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BC81740 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	LEAD FREE, SOT-23, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	170	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz

BC81740 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

BC817

ISSUE 5 – MARCH 2001

✪

PARTMARKING DETAILS

BC81716 –

BC81725 –

BC81740 –

6AZ

6BZ

6CZ

COMPLEMENTARY TYPE

– BC807

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

500

°C

I_B

100

Peak Base Current

I_BM

200

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector Cut-Off

Current

I_CBO

0.1

V_CB=20V, I_E=0

_CB=20V, I_E=0, T_amb=150°C

µA

Emitter Cut-Off Current I_EBO

µA

V_EB=5V, I_C=0

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

700

I_C=500mA, I_B=50mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(on)

1.2

I_C=500mA, V_CE=1V*

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

BC81716

BC81725

100

160

250

400

600

I_C=100mA, V_CE=1V*

I_C=500mA, V_CE=1V*

BC81740

All bands

Transition Frequency

f_T

200

5.0

MHz I_C=10mA, V_CE=5V

f=35MHz

Output Capacitance

C_obo

V_CB=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions.

TBA

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