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BC807

更新时间： 2024-02-01 05:44:54

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描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BC807 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC807 数据手册

SOT23 PNP SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

BC807

ISSUE 3 – MARCH 2001

PARTMARKING DETAILS

BC80716 –

BC80725 –

BC80740 –

5AZ

5BZ

5CZ

COMPLEMENTARY TYPE

BC817

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

-50

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-45

-5

Peak Pulse Current

-1

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

-500

-100

-200

330

°C

I_B

Peak Base Current

I_BM

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector Cut-Off

Current

I_CBO

-0.1

-0.5

_CB=-20V, I_E=0

_CB=-20V, I_E=0, T_amb=150°C

µA

Emitter Cut-Off Current I_EBO

-10

_EB=-5V, I_C=0

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-700 mV

I_C=-500mA, I_B=-50mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(on)

-1.2

I_C=-500mA, V_CE=-1V*

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

BC80716

BC80725

100

160

250

400

600

I_C=-100mA, V_CE=-1V*

I_C=-500mA, V_CE=-1V*

BC80740

All bands

Transition Frequency

f_T

100

8.0

MHz I_C=-10mA, V_CE=-5V

f=35MHz

Output Capacitance

C_obo

V_CB=-10V f=1MHz

*Measured under pulsed conditions.

Spice parameter data is available upon request for these devices

tba

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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