BC639

更新时间： 2024-02-02 20:26:40

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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BC639 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.3	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V

BC639 数据手册

NPN SILICON PLANAR

BC639

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1 SEPT 93

FEATURES

1 Amp continuous current

P_tot= 800 mW

TO92

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

800

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_C=100µA, I_E=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

I_C=10mA, I_B=0*

Emitter-Base

Breakdown Voltage

I_E=10µA, I_C=0

Collector Cut-Off Current I_CBO

0.1

0.5

V_CB=30V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

I_C=500mA, I_B=50mA*

Base-Emitter

Turn-on Voltage

V_BE(on)

1.0

IC=500mA,V_CE=2V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

h_FE

I_C=5mA, V_CE=2V*

I_C=150mA, V_CE=2V*

I_C=500mA, V_CE=2V*

160

Transition

Frequency

f_T

200

MHz

I_C=50mA, V_CE=2V

f=100MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

3-18

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