BBY31

更新时间： 2024-01-03 13:00:38

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描述
SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODE

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BBY31 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.16
其他特性：	LOW NOISE	最小击穿电压：	28 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	21.73%
标称二极管电容：	17.5 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.33 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
变容二极管分类：	HYPERABRUPT	Base Number Matches：	1

BBY31 数据手册

SOT23 SILICON PLANAR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

ISSUE 4 – JANUARY 1998

BBY31

PIN CONFIGURATION

PARTMARKING DETAIL

BBY31 – S1

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

330

UNIT

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Reverse Breakdown

Voltage

V_BR28.0

I_R= 10µA

Reverse current

I_R

1.0

µA

V_R= 28V

V_R= 28V, T_amb= 85°C

TUNING CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Diode Capacitance

C_d

17.5

11.5

V_R= 1V, f=1MHz

_R= 3V, f=1MHz

_R= 25V, f=1MHz

1.8

2.8

1.2

Capacitance Ratio

Series Resistance

_d/ C_d

5.0

V_R= 3V/25V, f=1MHz

r_d

f=470MHz at the value

of V_Rat which C_d=9pF

Ω

Spice parameter data is available upon request for this device

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