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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.1 |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 最大非重复峰值正向电流： | 1 A |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC50001-066 | 最大反向电流： | 0.1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BAV74TR | ALLEGRO | Rectifier Diode, 2 Element, 0.07A, Silicon |
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| BAV74TRL | YAGEO | Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon |
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| BAV74TRL13 | YAGEO | Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon |
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| BAV756 | NXP | High-speed switching diode array |
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| BAV756DW | WINNERJOIN | SWITCHING DIODE |
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| BAV756DW | TYSEMI | For General Purpose Switching Applications, High Conductance |
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