BAT54C

更新时间： 2024-02-20 06:37:04

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捷特科 - ZETEX		二极管光电二极管
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描述
SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODES

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BAT54C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	6.92
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.24 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	0.3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAT54C 数据手册

SOT23 SILICON EPITAXIAL

BAT54 SERIES

SCHOTTKY BARRIER DIODES

✪

ISSUE 1 SEPTEMBER 1995

BAT54

BAT54A

BAT54S

SERIES

BAT54C

Device Type

SINGLE

COMMON

ANODE

COMMON

CATHODE

Pin Configuration

L4Z

L42

L44

L43

Partmarking Detail

FEATURES: Low V_F& High Current Capability

APPLICATIONS: PSU, Mobile Telecomms & SCSI

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Continuous Reverse Voltage

Forward Current

V_R

I_F

200

°C

Forward Voltage @ I_F=10mA

Repetitive Peak Forward Current

Non Repetitive Forward Current t<1s

Power Dissipation at T_amb=25°C

Storage Temperature Range

V_F

400

I_FRM

I_FSM

P_tot

T_stg

T_j

300

600

330

-55 to +150

125

JunctionTemperature

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL

MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Reverse Breakdown V_(BR)R

Voltage

I_R=10µA

Forward Voltage

V_F

135

200

280

350

530

240

320

400

500

I_F=0.1mA

I_F=1mA

I_F=10mA

I_F=30mA

I_F=100mA

1000 mV

Reverse Current

I_R

2.5

7.5

V_R=25V

µA

Diode Capacitance

C_D

t_rr

f=1MHz,V_R=1V

Reverse Recover

Time

switched from

I_F=10mA to I_R=10mA

R_L=100Ω, Measured

at I_R=1mA

¤ Dual Device; For simultaneous continuous use T_j=100°C.

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