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BAS70-06TA

更新时间: 2024-01-12 20:35:10
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页数 文件大小 规格书
1页 56K
描述
Mixer Diode, Silicon

BAS70-06TA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.76
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.41 V
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:0.1 A
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.07 A
最大重复峰值反向电压:70 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

BAS70-06TA 数据手册

  
BAS70-04  
BAS70-05  
BAS70-06  
SOT23 SILICON PLANAR DUAL  
SCHOTTKY BARRIER DIODES  
ISSUE 3 - JULY 1995  
.
1
1
1
2
1
3
SOT23  
2
3
3
2
2
3
SERIES PAIR  
COMMON CATHODE  
COMMON ANODE  
Device Type: BAS70-04  
Partmarking Detail: 2Z  
Device Type: BAS70-05 Device Type: BAS70-06  
Partmarking Detail: 2Z5 Partmarking Detail: 1Z  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
Ptot  
VALUE  
330  
UNIT  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Breakdown Voltage  
VBR  
70  
V
IR=10µA  
VR=50V  
Reverse Leakage Current IR  
200  
410  
nA  
mV  
mA  
pF  
ps  
Forward Voltage  
Forward Current  
Capacitance  
VF  
IF=1mA  
IF  
CT  
τ
15  
VF=1V  
2.0  
f=1MHz, VR=0  
Effective Minority Lifetime  
(1)  
100  
f=54MHz, Ipk= 20mA  
(Krakauer Test Method)  
(1) Sample Test  
For typical characteristics graphs see ZC2800E datasheet.  
3 - 3  

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