2N6731

更新时间： 2024-01-13 20:51:49

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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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2N6731 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

2N6731 数据手册

NPN SILICON PLANAR

2N6731

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

80 Volt V_CEO

Gain of 100 at I_C= 350 mA

P_tot=1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

100

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

100

I_C=100µA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0*

I_E=1mA, I_C=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

0.1

V_CB=80V, I_E=0

µA

Emitter Cut-Off Current I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.35

I_C=350mA, I_B=35mA*

Base-Emitter Turn-On V_BE(on)

Voltage

1.0

IC=350mA, V_CE=2V*

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

100

I_C=10mA, V_CE=2V*

I_C=350mA, V_CE=2V*

300

500

Transition

Frequency

f_T

MHz

I_C=200mA, V_CE=5V

f=20MHz

Collector-Base

Capacitance

C_CB

V_CB=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

3-10

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