2N6729K

更新时间： 2024-02-10 03:30:53

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
1页	31K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6729K 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	2 A	基于收集器的最大容量：	30 pF
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-237AA
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1 W
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V

2N6729K 数据手册

PNP SILICON PLANAR

2N6728

2N6729

2N6730

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

100 Volt V_CEO

Gain of 20 at I_C= 0.5 Amp

P_tot=1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL 2N6728

2N6729

2N6730

-100

UNIT

Collector-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

-60

-80

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-80

-100

-5

Peak Pulse Current

-2

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb= 25°C

I_C

-1

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature Range T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL

2N6728

2N6729

2N6730

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX MIN. MAX MIN. MAX

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-60

-5

-80

-5

-100

-5

I_C=-0.1mA, I_E=0

I_C=-1mA, I_B=0*

I_E=-1mA, I_C=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

-1

_CB=-60V, I_E=0

V_CB=-80V, I_E=0

V_CB=-100V, I_E=0

µA

-1

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

V_EB=-5V, I_C=0

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-0.5

-0.35

-0.5

-0.35

-0.5

-0.35

I_C=-250mA,I_B=-10mA*

I_C=-250mA,I_B=-25mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

-1.2

IC=-250mA, V_CE=-1V*

Static Forward

Current Transfer

Ratio

250 50

I_C=-50mA, V_CE=-1V*

I_C=-250mA, V_CE=-1V*

I_C=-500mA, V_CE=-1V*

250

Transition

Frequency

f_T

500 50

500 MHz I_C=-50mA, V_CE=-10V

Collector Base

Capacitance

C_CB

30 pF V_CE=-10V, f=1MHz

3-9

下载PDF

与2N6729K相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6729LEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA,	获取价格
2N6729M1TA	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 STY	获取价格
2N6729M1TC	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 STY	获取价格
2N6729SM	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COM	获取价格
2N6729SMTA	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COM	获取价格
2N6729SMTA	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COM	获取价格