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2N6727

更新时间： 2024-01-23 03:27:23

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描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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2N6727 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	2 A	基于收集器的最大容量：	30 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-237AA
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1 W
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V

2N6727 数据手册

PNP SILICON PLANAR

2N6726

2N6727

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

40 Volt V_CEO

Gain of 50 at I_C= 1 Amp

P_tot=1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

2N6726

-40

2N6727

-50

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-30

-40

-5

-2

-1

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

2N6726

2N6727

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-40

-30

-5

-50

-40

-5

I_C=-1mA, I_E=0

I_C=-10mA, I_B=0*

I_E=-1mA, I_C=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

-0.1

-0.5

-1.2

V_CB=-40V, I_E=0

V_CB=-50V, I_E=0

µA

-0.1

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

V_EB=-5V, I_C=0

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.5

-1.2

I_C=-1A, I_B=-100mA*

IC=-1A, V_CE=-1V*

Base-Emitter Turn-On V_BE(on)

Voltage

Static Forward

Current Transfer Ratio

h_FE

I_C=-10mA, V_CE=-1V*

I_C=-100mA, V_CE=-1V*

I_C=-1A, V_CE=-1V*

250

500

250

500

Transition

Frequency

f_T

MHz

I_C=-50mA, V_CE=-10V

Collector Base

Capacitance

C_CB

V_CE=-10V, f=1MHz

3-8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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