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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N6726
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2N6726

更新时间： 2024-01-24 10:39:58
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管驱动放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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2N6726 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.68
Base Number Matches：1

2N6726 数据手册

  
PNP SILICON PLANAR  
2N6726  
2N6727  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 1 – MARCH 94  
FEATURES  
*
*
*
40 Volt VCEO  
Gain of 50 at IC = 1 Amp  
Ptot=1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
2N6726  
-40  
2N6727  
-50  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-30  
-40  
-5  
-2  
-1  
1
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb= 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
2N6726  
2N6727  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-40  
-30  
-5  
-50  
-40  
-5  
V
V
V
IC=-1mA, IE=0  
IC=-10mA, IB=0*  
IE=-1mA, IC=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
-0.1  
-0.1  
-0.5  
-1.2  
VCB=-40V, IE=0  
VCB=-50V, IE=0  
µA  
µA  
-0.1  
-0.1  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
VEB=-5V, IC=0  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.5  
-1.2  
V
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-1A, VCE=-1V*  
Base-Emitter Turn-On VBE(on)  
Voltage  
V
Static Forward  
Current Transfer Ratio  
hFE  
55  
60  
50  
55  
60  
50  
IC=-10mA, VCE=-1V*  
IC=-100mA, VCE=-1V*  
IC=-1A, VCE=-1V*  
250  
500  
250  
500  
Transition  
Frequency  
fT  
50  
50  
MHz  
pF  
IC=-50mA, VCE=-10V  
Collector Base  
Capacitance  
CCB  
30  
30  
VCE=-10V, f=1MHz  
3-8  
1

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