2N6714

更新时间： 2024-02-24 16:57:06

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
1页	30K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6714 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	2 A	基于收集器的最大容量：	30 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-237AA
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	1 W
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V

2N6714 数据手册

NPN SILICON PLANAR

2N6714

2N6715

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

40 Volt V_CEO

Gain of 50 at I_C= 1 Amp

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

2N6714 2N6715

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

2N6714

2N6715

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=1mA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0*

I_E=1mA, I_C=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

0.1

0.5

1.2

_CB=40V, I_E=0

_CB=50V, I_E=0

µA

0.1

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(on)

h_FE

0.5

1.2

I_C=1A, I_B=100mA*

IC=1A, V_CE=1V*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

Static Forward

Current Transfer

Ratio

I_C=10mA, V_CE=1V*

I_C=100mA, V_CE=1V*

I_C=1A, V_CE=1V*

250

500

250

500

Transition

Frequency

f_T

MHz I_C=50mA, V_CE=10V

Collector Base

Capacitance

C_CB

pF V_CE=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

3-5

下载PDF

与2N6714相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6714/D11Z	TI	1000mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN	获取价格
2N6714/D74Z	TI	1000mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN	获取价格
2N6714/D75Z	TI	1000mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN	获取价格
2N6714/D89Z	TI	1000mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN	获取价格
2N6714K	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,	获取价格
2N6714LEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA,	获取价格